10月31日，由深圳市科学技术协会指导，南方科技大学、深圳市坪山区人民政府、深圳青铜剑科技股份有限公司共同主办的“中欧第三代半导体高峰论坛”在深圳五洲宾馆举行。来自英国、瑞典、中国的两百多位专家学者和产业界人士参加论坛，围绕碳化硅、氮化镓等第三代半导体技术的最新发展前景展开热议。

　　据介绍，本届论坛由深圳基本半导体有限公司、深圳市第三代半导体器件重点实验室、深圳中欧创新中心承办。

　　深圳市人大常委会副主任、深圳市科学技术协会主席蒋宇扬在致辞中表示，以碳化硅、氮化镓等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料技术，作为新一代信息技术、新能源、新材料三大产业的结合，受到深圳市的高度重视。他表示，目前深圳市在第三代半导体领域具有较好的研发和产业化基础，不少高校与企业在从事这方面的工作。他指出要借助此次论坛的召开，搭建更高效的国际交流平台，促进我国第三代半导体行业快速发展。

　　与会的专家学者分别从各自的研发领域针对碳化硅和氮化镓器件的设计、工艺、应用进行了深入介绍，并探讨了第三代半导体产业的市场机遇和未来发展趋势。

　　深圳市基本半导体有限公司副总经理张振中博士在论坛上介绍了目前全球碳化硅功率器件的发展与应用情况。“我们采用自主研发的新型工艺技术实现的全外延结构沟槽JBS二极管，各项指标已经达到了国际先进水平。”张振中说。

　　近年来，以碳化硅、氮化镓等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目。由于其具有禁带宽、击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等优点，可广泛应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、半导体照明、新一代移动通信、消费类电子等领域，被视为支撑能源、交通、信息、国防等产业发展的核心技术，全球市场容量未来将达到百亿美元，已成为美国、欧洲、日本半导体行业的重点研究方向之一。

　　2015年5月8日，在国务院印发《中国制造2025》中曾四次提到以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体功率器件，可见第三代半导体行业在国民经济发展中的重要地位。目前我国在第三代半导体材料研究上一直紧跟世界前沿，是世界上为数不多的碳化硅材料衬底、材料外延产业化的国家。在第三代半导体器件设计和制造工艺方面也在向世界先进水平迈进。

　　我国第三代半导体产业能否实现引领式创新发展？参加论坛的青铜剑科技公司副总裁、基本半导体公司总经理和巍巍博士表示，目前中国的第三代半导体行业已经迎来发展的春天。基本半导体公司通过整合海内外创新技术、人才与国内产业资源，已全面掌握碳化硅器件的材料制备、芯片设计、制造工艺、封装测试、驱动应用等各方面技术，成为国内发展最快的碳化硅功率器件企业之一。